Полосовой фотоприемник на основе варизонных структур Au-n-Ga1-xAlxAsn-GaAs с разнодолинным Г-Х-переходом
Фоточувствительные варизонные структуры Au-n-Ga1-xAlxAs/n’-GaAs с разнодолинным Г-Х-переходом созданы методом химического осаждения. В области переход